2013年度

論文・プロシーディングス

2012年度

論文・プロシーディングス

  • E1/E2 traps in 6H-SiC studied with Laplace deep level transient spectroscopy
    A. Koizumi, V. P. Markevich, N. Iwamoto, S. Sasaki, T. Ohshima, K. Kojima, T. Kimoto, K. Uchida, S. Nozaki, B. Hamilton, and A. R. Peaker
    Applied Physics Letters, Vol. 102 (3), 032104 (2013). [ http://apl.aip.org/resource/1/applab/v102/i3/p032104_s1 ]

2011年度

論文・プロシーディングス

  • Single-alpha-particle-induced charge transient spectroscopy of the 6H-SiC p+n diode irradiated with high-energy electrons
    Naoya Iwamoto, Atsushi Koizumi, Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima, Kazutoshi Kojima, Shunpei Koike, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 58 (6), pp. 3328-3332 (2011).
  • Compensation-dependent carrier transport of Al-doped p-type 4H-SiC
    Atsushi Koizumi, Naoya Iwamoto, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Tsunenobu Kimoto, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki, Materials Science Forum, Vols. 679-680, pp. 201-204 (2011).

国際会議発表

  • Defects in an electron-irradiated 6H-SiC diode studied by alpha particle induced charge transient spectroscopy: their impact on the degraded charge collection efficiency
    N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, T. Ohshima, K. Kojima, S. Koike, A. Koizumi, K. Uchida, and S. Nozaki
    The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Tu-P-66, Renaissance Cleveland Hotel, Ohio, USA, September 11-16, 2011.

研究会・シンポジウム

  • UV酸化による半導体ニッケル酸化膜の作製
    張 東元、小泉 淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
    電気通信大学・東京農工大学 第8回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」、U7、予稿集 p. 20、東京農工大学 小金井キャンパス、2011年12月10日.
  • ラプラスDLTSによる4H-SiC p+nダイオードの欠陥評価
    小池俊平、岩本直也、小野田 忍、大島 武、児島一聡、小泉 淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
    SiC及び関係ワイドギャップ半導体研究会 第20回講演会、P-104、予稿集 p. 222、愛知県産業労働センター(ウインクあいち)、2011年12月8日-9日.
  • In-situ etching of GaAs capping layer on InAs quantum dots by CBrCl3
    H. Imanishi, A. Koizumi, M. Yoshida, K. Asano, K. Uchida, and S. Nozaki
    The 30th Electronic Materials Symposium (EMS-30), Th1-11, p. 67, Laforet Biwako, Shiga, Japan, June 29 - July 1, 2011.

2010年度

論文

  • Transient analysis of an extended drift region in a 6H-SiC diode formed by a single alpha particle strike and its contribution to the increased charge collection
    N. Iwamoto, S. Onoda, T. Makino, T. Ohshima, K. Kojima, A. Koizumi, K. Uchida, and S. Nozaki, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 58, pp. 305-313 (2011).
    [ link ]
  • In situ CBrCl3 etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots
    Atsushi Koizumi, Hiroshi Imanishi, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki, J. Cryst. Growth, Vol. 315, pp. 106-109 (2011).
    [ link ]
  • Charge Enhancement Effects in 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Strike
    Shinobu Onoda, Takahiro Makino, Naoya Iwamoto, Gyorgy Vizkelethy, Kazutoshi Kojima, Shinji Nozaki, and Takeshi Ohshima, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 57, pp. 3373-3379 (2010).
  • Aqueous-based synthesis of atomic gold clusters: Geometry and optical properties
    S Rath, S. Nozaki, D. Palagin, V. Matulis, O. Ivashkevich, and S. Maki, Appl. Phys. Lett., Vol. 97, 053103 (2010).

プロシーディングス

国際会議発表

  • Compensation-dependent carrier transport of Al-doped p-type 4H-SiC
    A. Koizumi, N. Iwamoto, S. Onoda, T. Ohshima, T. Kimoto, K. Uchida, and S. Nozaki, 8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM8th), WeP-43, Abstract of ECSCRM8th, p. TP-230, Sundvolden Hotel, Oslo, Norway, August 29-September 2, 2010.
  • Effects of in-situ CBrCl3 etching on the structural properties of InAs/GaAs quantum dots for controlling size and density
    Atsushi Koizumi, Hiroshi Imanishi, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki
    15th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XV), Thur. 3:10PM (page 34), Hyatt Regency Lake Tahoe, Incline Village, Nevada, USA, May 23-28, 2010.

国内会議発表

  • 極微Ni酸化物キャパシタによる高速整流器の作製
    木下昌久、小泉 淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
    真空・表面科学合同講演会(第30回表面科学学術講演会・第51回真空に関する連合講演会)、大阪大学 コンベンションセンター、大阪府吹田市、6Bp-05S、要旨集 p. 382、2010年11月4-6日.
    [社団法人日本表面科学会主催]
  • SiOナノ粉末への光照射によるSiナノクリスタルの形成機構
    杉本真矩、小泉 淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
    真空・表面科学合同講演会(第30回表面科学学術講演会・第51回真空に関する連合講演会)、大阪大学 コンベンションセンター、大阪府吹田市、5Ca-05S、要旨集 p. 220、2010年11月4-6日.
    [社団法人日本表面科学会主催]
  • オーダリング現象によるInGaP/GaAsヘテロ接合界面物性への影響
    佐藤 究、小泉 淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
    真空・表面科学合同講演会(第30回表面科学学術講演会・第51回真空に関する連合講演会)、大阪大学 コンベンションセンター、大阪府吹田市、4Ca-04S、要旨集 p. 40、2010年11月4-6日.
    [社団法人日本表面科学会主催]
  • CdS-ZnOヘテロ接合ナノロッドの特性及び3,4-ジヒドロキシ安息香酸の光触媒分解の応用
    小野寺信男、小泉 淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
    真空・表面科学合同講演会(第30回表面科学学術講演会・第51回真空に関する連合講演会)、大阪大学 コンベンションセンター、大阪府吹田市、4Ap-02S、要旨集 p. 12、2010年11月4-6日.
    [社団法人日本表面科学会主催]
  • 高周波スパッタリングによるニッケル酸化物の作製及び評価
    永田篤史、内田和男、小泉 淳、小野 洋、野崎眞次
    電子情報通信学会 電子部品・材料研究会(CPM)、vol. CPM2010-96、no. IEICE-CPM-261、pp. 27-31、CPM2010-96、信州大学、長野県長野市、2010年10月28-29日. [ link ]
  • 真空紫外光照射によるSi/SiO2界面構造の改質
    山崎政宏、小泉 淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
    第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学文教キャンパス、長崎県長崎市、16p-S-15、2010年9月14日-17日.
  • モンテカルロシミュレーションを用いた白色LEDの蛍光体分散構造の解析
    富山茂喜、小泉 淳、内田和男、野崎眞次
    第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学文教キャンパス、長崎県長崎市、15p-NK-7、2010年9月14日-17日.
  • CBrCl3その場エッチングがInAsドットの サイズと密度に及ぼす影響
    今西 弘、小泉 淳、内田和男、野崎眞次
    第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学文教キャンパス、長崎県長崎市、15p-ZV-4、2010年9月14日-17日.
  • SiCダイオードの過渡電荷収集における電子線誘起欠陥の影響
    岩本直也、小野田忍、牧野高紘、大島 武、児島一聡、小池俊平、小泉 淳、内田和男、野崎眞次
    第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学文教キャンパス、長崎県長崎市、15a-ZS-11、2010年9月14日-17日.

研究会・シンポジウム

  • その場化学エッチングによるGaAs上InAsドットの低密度化
    今西 弘、小泉 淳、内田和男、野崎眞次
    電気通信大学・東京農工大学 第7回合同シンポジウム、電気通信大学、東京都調布市、予稿集 p. 38、2010年12月11日.
  • SiC放射線検出器の作製と特性の評価
    岩本直也、小野田忍、牧野高紘、大島 武、児島一聡、小泉 淳、内田和男、野崎眞次
    電気通信大学・東京農工大学 第7回合同シンポジウム、電気通信大学、東京都調布市、予稿集 p. 17、2010年12月11日.
  • アルファ線を用いたSiCダイオード中の欠陥評価
    岩本直也、小野田忍、牧野高紘、大島武、児島一聡、小泉 淳、内田和男、野崎眞次
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会、P-37(予稿集 pp. 106-107)、つくば国際会議場、茨城県つくば市、2010年10月21日-22日.
  • ラプラス変換DLTSによる6H-SiC p+nダイオードの欠陥評価
    小池俊平、岩本直也、小野田忍、大島 武、児島一聡、小泉 淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
    SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第19回講演会、P-33(予稿集 pp. 99-100)、つくば国際会議場、茨城県つくば市、2010年10月21日-22日.
  • Study of in situ etching of InAs dots on GaAs substrates for controlling size and density
    (ブロモトリクロロメタンをもちいたGaAs上InAsドットのその場エッチング)
    A. Koizumi, H. Imanishi, K. Uchida, and S. Nozaki
    29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), Fr2-10, Laforet Shuzenji, Shizuoka, Izu, Japan, July 14-16, 2010.

解説など

2009年度

論文・プロシーディングス

  • Charge collection efficiency of 6H-SiC p+n diodes degraded by low-energy electron irradiation
    N. Iwamoto, S. Onoda, T. Ohshima, K. Kojima, A. Koizumi, K. Uchida, and S. Nozaki
    Materials Science Forum 645-648, pp. 921-924 (2010).
  • Comparative Study on Reliability of InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Highly Zn- and C-Doped Base Layers
    Atsushi Koizumi, Kazuki Oshitanai, Jaesung Lee, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki
    in Reliability and Materials Issues of Semiconductor Optical and Electrical Devices and Materials, edited by O. Ueda, M. Fukuda, S. Pearton, E. Piner, P. Montanegro (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Volume 1195, Warrendale, PA, 2010), 1195-B06-02.
    [ Link ]
  • High-quality oxide formed by evaporation of SiO nanopowder: Application to MOSFET's on plastic substrates and GaN epilayers
    S. Nozaki, S. Kimura, A. Koizumi, H. Ono and K. Uchida
    Materials Science in Semiconductor Processing 11, pp. 384-389 (2009).
  • Characterization of MOVPE-grown p-InGaAs/n-InP interfaces
    Kazuo Uchida, Hidenori Yamato, Yoshikuni Tomioka, Atsushi Koizumi, and Shinji Nozaki
    J. Cryst. Growth, Vol. 311, pp. 4011–4015 (2009).
    [ Link ]
  • Temperature and doping dependencies of electrical properties in Al-doped 4H-SiC epitaxial layers
    Atsushi Koizumi, Jun Suda, and Tsunenobu Kimoto
    J. Appl. Phys., Vol. 106, Art. No. 013716 (2009).
    [ Link ]
  • InGaP/GaAs heterointerfaces studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy and their impact on the device characteristics
    S. Nozaki, A. Koizumi, K. Uchida, and H. Ono
    Proceedings of the International Conference Nanomeeting-2009: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, World Scientific, Singapore, ed. V. E. Borisenko, S. V. Gaponenko and V. S. Gurin, pp. 18-23 (2009).

国際会議発表

  • Comparative study on reliability of InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors with highly Zn- and C-doped base layers
    Atsushi Koizumi, Kazuki Oshitanai, Jaesung Lee, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki
    2009 MRS Fall Meeting, B6.2, Sheraton Boston Hotel, Boston, MA, USA, November 30 - December 4, 2009.
  • InGaP/GaAs heterointerfaces studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy and their impact on the device characteristics
    S. Nozaki, A. Koizumi, K. Uchida, and H. Ono
    The International Conference Nanomeeting-2009, May 26-May 29, 2009, Minsk, Belarus. (invited)

国内会議発表

  • MOVPE法によるInP基板上へのInAs/GaAsの作製及び評価
    冨岡能州、小泉 淳、内田和男、野崎眞次
    第57回 応用物理学関係連合講演会、東海大学湘南キャンパス、神奈川県平塚市、19a-TW-5、2010年3月17日-20日.
  • 電着法による酸化亜鉛の光学的特性
    荒川盛司、内田和男、野崎眞次、小野 洋、小泉 淳
    電子情報通信学会 東京支部学生会「研究発表会」、東京電機大学神田キャンパス、東京都千代田区、136、2010年3月13日.
  • 自立GaN基板N面におけるオーミック電極の形成及びその物性評価
    齋藤雅彰、内田和男、野崎眞次
    電子情報通信学会 東京支部学生会「研究発表会」、東京電機大学神田キャンパス、東京都千代田区、135、2010年3月13日.
  • 異なる成膜方法によるITO/GaAsコンタクト抵抗の研究
    荒井 優、内田和男、野崎眞次
    電子情報通信学会 東京支部学生会「研究発表会」、東京電機大学神田キャンパス、東京都千代田区、134、2010年3月13日.
  • ドライアイスショットによるシリコン基板線上とそのシリコンプロセスへの導入
    王 原、野崎眞次、内田和男
    電子情報通信学会 東京支部学生会「研究発表会」、東京電機大学神田キャンパス、東京都千代田区、126、2010年3月13日.
  • C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価
    高井伸彰、小池俊平、小泉 淳、小野 洋・野崎眞次
    電子情報通信学会 東京支部学生会「研究発表会」、東京電機大学神田キャンパス、東京都千代田区、125、2010年3月13日.
  • InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタへのレッジパッシベーションの影響
    長岡信介、高木保志、小泉 淳、小野 洋、内田和男、野崎眞次
    電子情報通信学会 東京支部学生会「研究発表会」、東京電機大学神田キャンパス、東京都千代田区、124、2010年3月13日.
  • ZnOナノロッドの水熱法による選択成長とその発光特性
    菊地孝輔、野崎眞次、内田和男、小野 洋、小泉 淳
    第29回表面科学学術講演会、タワーホール船堀、東京都江戸川区、3F34、2009年10月27日-29日.
    (社団法人日本表面科学会主催第28回表面科学学術講演会講演要旨集、p.226)
  • 低エネルギー電子線照射による6H-SiCダイオードの電荷収集効率の低下
    岩本直也、小野田忍、大島 武、児島一聡、小泉 淳、内田和男、野崎眞次
    第70回応用物理学会学術講演会、富山大学 五福キャンパス、富山県富山市、11p-M-8、2009年9月8日-11日.
  • Alドープp型4H-SiCの電気的特性の補償度依存性
    小泉 淳、岩本直也、大島 武、木本恒暢、内田和男、野崎眞次
    第70回応用物理学会学術講演会、富山大学 五福キャンパス、富山県富山市、11p-M-2、2009年9月8日-11日.

研究会・シンポジウム

  • SiOナノ粒子への光照射によるシリコンナノ結晶の形成機構
    杉本真矩、小泉 淳、小野 洋、内田和男、野崎真次
    電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム、東京農工大学小金井キャンパス(東京)、予稿集 p. 85、2009年12月5日.
  • Cross-sectional scanning tunneling microscopy study of interfacial roughness in a GaInP/GaAs superlattice structure
    Atsushi Koizumi, Yoko Mori, Ryo Iida, Kazuo Uchida, and Shinji Nozaki
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), F-3, Laforet Biwako, Shiga, Japan, July 8-10, 2009.
  • Compensation ratio dependence of calculated hole mobility in Al-doped p-type 4H-SiC
    Atsushi Koizumi, Jun Suda, and Tsunenobu Kimoto
    28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), A-3, Laforet Biwako, Shiga, Japan, July 8-10, 2009.

解説など

過去の研究成果


Last-modified: 2013-04-09 (火) 21:47:57 (2262d)