平成29年度(2017年度)

修士論文

  • 境 周一
    MOVPE法によりAlNバッファ層上に作製したAl30Ga70N pinダイオードの特性評価
  • 詹 秀云
    ワイドギャップ半導体ダイオードの作製および欠陥評価
  • 曹 俊
    レクテナ用平面型ダイオードの開発
  • 張 效嘉
    高Al組成AlGaNを用いたpn接合ダイオードの作製及び評価
  • 水上 裕太
    トンネル接合の窒化物半導体への応用

卒業論文

  • 高橋 泰基
    RXマイコンを用いたLED電源のロバストディジタル制御
  • 高宮 駿
    NiOを用いたReRAMの作製及び評価
  • 角井 央
    トンネル層を用いた GaNショットキーダイオードの 作製及び評価
  • 永井 隆弘
    光レクテナ用 NiO ショットキーダイオド の作製および評価
  • 森元 諄
    UVウェット酸化を用いたMgドープAlGaNの作製及び評価
  • 渡邉 勇輝
    光酸化による ZnO薄膜のキャリア濃度への影響

平成28年度(2016年度)

修士論文

  • 熊切 竣平
    MOVPE法によるAlGaN/GaNトンネル接合を組み込んだpnダイオードの作製及び評価
  • 近藤 祐也
    MOVPE法によるAlNバッファー層上の高Al組成n-AlGaN V/III比依存性
  • 徐 馮落龍
    水銀オゾンランプを使ったNiの紫外線酸化によるNiOの作製およびその電気特性制御
  • SULTAN MAHMUD
    MSM酸化ニッケルダイオードの基礎電気特性
  • 新坂 龍一
    亜鉛薄膜のUV酸化によるフロントゲートMOSFETの作製

卒業論文

  • 片寄 翔太
    SOG溶液を用いたZnO-MOSキャパシタの作製および評価
  • 川南 遼平
    赤外レクテナ用アンテナの作製および評価
  • 小林 貴弘
    MOVPE法によるAlGaNのドーピング特性のⅤ/Ⅲ比依存性の評価
  • 櫻井 翔太
    水熱合成法より作製したZnOナノロッドの表面欠陥についての評価
  • 髙橋 美沙
    GaNショットキーダイオードの作製及び評価
  • YEOH YING ZHI
    紫外線酸化によるバックゲートZnO薄膜トランジスタの作製および評価
  • 渡辺 真一
    NiOを用いたReRAMの開発及び評価

平成27年度(2015年度)

修士論文

  • 相原 由美
    NiOの不純物添加とその電気特性への影響
  • 源田 翔貴
    MOVPE法によるSi基板上InAsナノワイヤの成長およびその評価
  • NGUYEN QUANG HUY
    NiOショットキーダイオードの光レクテナへの応用
  • 船山 春樹
    MOVPE法によるAlGaNショットキーダイオードの作製及びその評価
  • 柳谷 幸平
    MOVPE成長NiO薄膜のLiドーピングに関する研究

卒業論文

  • 小林 賢斉
    Si基板上への水熱合成法によるZnxMg1-xOナノロッドの作製及び評価
  • 曹 俊
    NiOショットキーダイオードの作製及び評価
  • 西元 岳
    NiOを用いたMIM 構造における抵抗スイッチング特性の評価
  • 水上 裕太
    MOVPE法によるn-AlGaNの結晶評価
  • 山口 晃平
    MOCVD法によるNiOの成長及びその光触媒効果
  • 山本 晃司
    Xeイオン注入されたSiC基板上の熱酸化膜の評価
  • LIM YANG WEI
    電子線照射によるInGaP/GaAsヘテロ接合フォトフォランジスタの影響

平成26年度(2014年度)

修士論文

  • 臼田 亮
    UV照射プロセスによるSOG塗布型ゲート酸化膜の低温形成
  • 遠藤 祐希
    MOVPE法によるSi基板上へのInAsナノワイヤ成長と評価
  • 小林 翔吾
    単結晶MgO基板上へのNiO薄膜MOVPE成長に関する研究
  • 中村 祥太郎
    Si基板上に水熱法により選択成長させたZnOナノロッドのカソードルミネッセンスによる評価
  • 藤原 海渡
    イオン注入によるSiC熱酸化膜への影響
  • 松浦 大樹
    ドライエッチングプロセスで作製したInGaP/GaAs HBTにおける欠陥評価

卒業論文

  • 石橋 巧
    常圧MOVPE法によるMgO基板上へのNiO薄膜成長及び評価
  • 熊切 竣平
    MOVPE 法によるサファイア基板上へのAlNテンプレート成膜及びその評価
  • 近藤 祐也
    MOVPE法による深紫外LEDクラッド層AlGaNの成長及び結晶評価
  • 詹 秀云
    Si基板上の金属亜鉛のUV酸化によるダイオードの作製および電気的特性の評価
  • 新坂 龍一
    金属亜鉛のUV酸化によるZnO薄膜トランジスタの作製および評価
  • SULTAN MAHMUD
    SOG層間絶縁膜の高品質化

平成25年度(2013年度)

修士論文

  • Anil Kumar
    ドライエッチング技術を用いたGaP/GaAs・HBTトランジスタの作成
  • 安達 賢哉
    光酸化による高品位シリコン酸化膜のSiC上への作製
  • 飯島 康裕
    紫外光とSiOナノ粉末を用いた高品位ゲート酸化膜の低温作製とその機構
  • 大河 亮祐
    MOVPE成長によるp-NiO/n-ZnOヘテロ接合の作製と評価
  • 金澤 敏規
    光線追跡シミュレーションを用いたInGaN系LEDの光学特性に関する研究
  • 金谷 平祐
    MOVPE法によるNiO表面の平坦化に向けた研究
  • 金子 達也
    逆ラプラスQTSを用いたSiCの欠陥の高分解能評価

卒業論文

  • 加藤 卓磨
    金属亜鉛の紫外光酸化による酸化亜鉛薄膜の作製
  • 坂口 正貴
    モンテカルロシミュレーションを用いた青色LEDの光学的解析
  • 山口 浩輝
    MOCVD法によるNiOの製作及び特性評価
  • 相原 由美
    UV光照射によるNiO薄膜の作製および電気的特性の評価
  • 源田 翔貴
    MOVPE法によるⅢ‐Ⅴ族ナノワイヤの成長およびその評価
  • HUY
    光レクテナ用完全空乏型ショットキーダイオードに関する研究
  • 船山 春樹
    GaN-LEDの劣化測定及びその評価
  • 柳谷 幸平
    MOVPEによるLiドープNiO薄膜の作成及びその評価

平成24年度(2012年度)

修士論文

  • 青木 遼太郎
    水熱法によるZnOナノロッドの選択成長及び評価
  • 浅野 圭太
    MOVPE法によるGaInP/GaAsヘテロ界面の2次元伝導特性に関する研究
  • 五十嵐 慎
    InGaN系LEDの発光効率
  • 中村 元彦
    MOVPE法によるNiO単結晶薄膜の結晶性、電気伝導に関する研究
  • ハオ ウェンダ
    スプレー法によるITO-LEDの作製
  • 長谷川 源
    UV光酸化プロセスの最適化による高品位酸化膜の低温作成
  • Phuc
    InGaP/GaAsヘテロ結合バイポーラフォトトランジスタの信頼性

卒業論文

  • 臼田 亮
    SOG溶液を用いたSiO2ゲート絶縁膜の低温作製及び評価
  • 遠藤 祐希
    MOVPE法によるInAsとGaAs:Cから成る超格子構造の作製及び評価
  • 小林 翔吾
    NiO酸化膜半導体ドライエッチングに関する研究
  • 中村 祥太郎
    ZnOナノロッド粉末蛍光体を用いた白色LEDの作製及び評価
  • 藤原 海渡
    UV酸化によるSiC MOS Capacitorの電気的特性評価への影響
  • 松浦 大樹
    InGaP/GaAs ダイオードにおけるドライエッチングの影響

平成23年度(2011年度)

修士論文

  • 川島 佑介
    カーボンドープGaAsへのInの拡散によるInGaAsの形成とその電気的特性
  • 今西 弘
    MOVPE法によるInAsへのカーボンドープGaAs埋め込みおよび電気的特性評価
  • 小池 俊平
    逆ラプラス変換アルゴリズムを用いたCharge Transient Spectroscopyの開発
  • LIM SOO SING
    紫外光の及ぼす低温シリコン酸化膜への影響
  • 吉田 健一
    MOCVD法によるNiO単結晶の作製及び評価
  • 高木 保志
    InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタのα線検出特性

卒業論文

  • 安達 賢哉
    低温酸化膜MOSキャパシターにおける界面準位密度の電気的特性評価
  • 金子 達也
    UV光酸化を用いたSiC MOS Capacitorの作製
  • 陳 玉明
    UV酸化法によるNiOニッケル酸化膜の作製および評価
  • 飯島 康裕
    SiOx堆積膜におけるUV光照射条件に対する酸化度への影響
  • 大河 亮祐
    MOVPE成長によるNiO薄膜単結晶の光学的評価に関する研究
  • 金澤 敏規
    InGaN系LEDにおける発光効率の温度依存性に関する研究
  • 金谷 平祐
    MOVPE法によるInAs/GaAs超格子へのCドープに関する研究
  • 福田 米努
    紫外光LED光源を用いた光触媒に関する研究
  • 坂本 龍之介
    ドライアイスブラスターショットを用いたSiC表面洗浄
  • ANIL KUMAR
    反応性イオンエッチングによるⅢ-Ⅴ族化合物半導体の選択エッチング

平成22年度(2010年度)

修士論文

  • 佐藤 究
    Shubnikov-de Hass振動を用いたInGaP/GaAsヘテロ接合界面の物性評価
  • 富山 茂喜
    モンテカルロシミュレーションを用いた白色LEDの蛍光体分散構造の解析
  • 永田 篤史
    RFスパッタリングによるNiOx薄膜の作製及び評価
  • 小野寺 信男
    CdS-ZnOヘテロ接合ナノロッドの特性及び3,4-ジヒドロキシ安息香酸の光触媒分解の応用
  • 木下 昌久
    極微Ni酸化物キャパシターによる高速整流器の作製
  • 杉本 真矩
    SiOナノ粉末への光照射によるSiナノクリスタルの形成機構
  • 高橋 透仁
    C-doped GaAsへのInの拡散
  • 山崎 政宏
    真空紫外光照射によるSi/SiO2界面構造の改質

卒業論文

  • 浅野 圭太
    MOCVD法によるInP基板上GaAs/InAs超格子作製に関する研究
  • 五十嵐 慎
    パルス電流注入による時間分解ELを用いた高輝度LEDのefficiency droopに関する研究
  • 貝津 則雅
    金属リード上のLEDチップ熱放散のメカニズムに関する研究
  • 森崎 洋一郎
    ドライアイスを用いたシリコン基板洗浄の洗浄効率向上に関する研究
  • 長谷川 源
    172nm真空紫外光照射によるSiOx堆積膜の酸化度への影響
  • TALUKDER MD JAVED ROUF
    ZnOナノロッドの作製と光電気化学的伝導評価
  • 中村 元彦
    LED用蛍光体における耐湿性に関する研究
  • 竹内 領太
    温度変化による4H-SiC MOS Capacitorの電気的特性評価
  • THAN HONG PHUC
    InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ高効率化
  • 吉田 誠
    CBrCl3によるInAs量子ドット上GaAsキャップ層のエッチングとその評価

平成21年度(2009年度)

修士論文

  • 荒井 優
    異なる成膜方法によるITO/GaAsコンタクト抵抗の研究
  • 荒川 盛司
    電着法による酸化亜鉛の光学的特性評価
  • 菊地 孝輔
    ZnOナノロッドの水熱法による選択成長とその発光特性
  • 齋藤 雅彰
    自立GaN基板N面におけるオーミック電極の形成及びその物性評価
  • 高井 伸影
    C-t法による低温酸化膜MOSキャパシターの電気的特性評価
  • 冨岡 能州
    MOVPE法による(001)InP基板上へのInAs/GaAsナノ構造の作製および評価
  • 長岡 信介
    InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタの作製及び評価
  • 渡邊 明広
    分子線エピタキシャル法によるMn5Ge3/Ge磁性金属・半導体薄膜の作製とその特性評価
  • 王 原
    ドライアイスショットによるシリコン基板洗浄とそのシリコンプロセスへの導入

卒業論文

  • 青木 遼太郎
    走査型プローブ顕微鏡による酸素アニール後のZnOナノロッドの導電性評価
  • 今西 弘
    PH3を曝したGaAs表面の光学評価
  • 小池 俊平
    逆ラプラス変換アルゴリズムを用いたDLTS装置の開発
  • 齋藤 慎
    照明用白色LED高性能化のための光学シミュレーション
  • 佐藤 寛夢
    ドライアイスブラスターショットによる半導体洗浄プロセスの研究
  • 高木 保志
    InGaP/GaAs ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタの三端子動作特性
  • 南 泰勲
    LEDをモールディングする材質の粘性による放熱効率評価
  • LIM SOO SING
    172nm真空紫外光の低温シリコン酸化膜への影響
  • 吉田 健一
    高周波スパッタリング法によるNiOx薄膜の作製及び評価
  • 綿引 亮介
    X線回折法および走査型トンネル顕微鏡によるInGaP/GaAsヘテロ界面の相互拡散評価

平成20年度(2008年度)

修士論文

  • 李 宰盛
    SiOxへの光照射によるシリコンナノ結晶の形成とその機構
  • 五十嵐 一帆
    水熱法を用いたZnOナノロッドの作製および基板の与える成長への影響について
  • 大下内 和樹
    異なるp型ドーパントを有するInP/InGaAs HBTの特性の比較・評価
  • 木村 仁志
    InTiO透明電極によるIR-LEDp型オーミックコンタクトの研究
  • 茶木 健志郎
    InGaP自然超格子発生のInGaP/GaAsヘテロ接合ダイオードへの影響
  • 成瀬 健
    Geナノクリスタル単層膜の作製および酸化膜中への埋め込み:メモリデバイスへの応用
  • 前田 哲平
    GaNの熱酸化によるMOSキャパシタの作製と評価
  • 森 陽子
    超高真空走査型トンネル顕微鏡によるInGaP/GaAs の原子レベルでの急峻性評価とその有機金属気相成長条件との関連

卒業論文

  • 飯田 亮
    超高真空走査型トンネル顕微鏡観察像におけるInGaP/GaAsヘテロ界面粗さの定量解析
  • 小野寺 信男
    水熱法を用いたSi基板上へのZnOナノロッドの作製及び光応答評価
  • 佐藤 究
    自然超格子発生によるGaAs/InGaPヘテロ接合ダイオードの電気特性への影響
  • 杉本 真矩
    SiOナノ粉末への光照射によるSiナノクリスタルの形成およびラマン分光測定
  • 富山 茂喜
    白色LEDにおける蛍光体分散構造に関する研究 び光学的特性
  • 山家 大輔
    界面活性剤を用いたBi添加SiOナノ粒子の作製および蒸着膜の電気及
  • 山崎 政宏
    新規低温酸化膜作製装置の試作と低温作製した酸化膜の特性評価
  • 山本 篤
    IR-LED用InTiO透明電極によるn型オーミックコンタクトに関する研究

平成19年度(2007年度)

修士論文

  • 加藤 怜
    自立n-GaN基板N面へのオーミックコンタクトに関する研究
  • 李 一侃
    二次元電子を用いた高性能ホール素子に関する研究
  • 古嶌 勝貴
    電子線描画を用いたAlGaN/GaN HEMTにおけるオン抵抗の低減
  • 山本 翔平
    化学合成したBi添加SiOxナノ粒子の真空蒸着による透明導電膜の作製
  • 水野 拓巨
    p-NiOxオーミック電極の作製と評価
  • 成澤 正博
    SiOナノ粉末による高品位SiOx薄膜の低温形成
  • 楊 富頴
    LedgeパッシベーションによるInGaP/GaAs HBTの信頼性の向上
  • 鈴木 教志
    Geナノクリスタル単層膜の形成とナノクリスタルメモリーへの応用
  • 和 秀憲
    HBT試作のためのInP/InGaAs界面の研究

卒業論文

  • 荒井 優
    InTiO透明電極のIR-LEDへの応用
  • 齋藤 雅彰
    自立窒化ガリウム基板のICP-RIEによるエッチング面の評価
  • 冨岡 能州
    有機金属気相エピタキシー法を用いたInP/InGaAsのpn接合の作製とその界面評価
  • 富山 健太郎
    多孔質アルミナテンプレートおよびZnOナノロッドの作製
  • 長岡 信介
    InGaP/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタの特性へのレッジパッシベーションの影響
  • 永田 篤史
    Ni酸化物半導体のオーミックコンタクトに関する研究
  • 眞野 晃
    走査型プローブ顕微鏡によるZnOナノロッドの導電性評価
  • 高井 伸影
    Pd電極を用いた低温における高品位SiOx絶縁膜の作製と評価
  • 王 原(研究生)
    SiOxナノ粒子を用いたp-GaNのMOSキャパシタの電気特性評価

平成18年度(2006年度)

修士論文

  • 芋川 直
    MOVPE成長InxGa1-xAsにおけるp型ドーピングの問題点及びInP/InGaAs HBTデバイスの最適化に関する研究
  • 宮田 浩正
    Bi添加SiOx薄膜の構造と材料物性
  • 崎野 晃滋
    電気化学的手法による酸化銅ナノ材料の作製及び太陽電池への応用
  • 齋藤 貴夫
    Ni酸化物の物性評価とp-GaNオーミックコンタクトへの応用に関する研究
  • 大塚 史之
    走査型トンネル顕微鏡によるGaInP/GaAsへテロ界面の粗さ解析
  • 粕谷 仁一
    化学的合成によるZnOナノ構造の作製および特性評価

卒業論文

  • 五十嵐 一帆
    亜酸化銅(Cu2O)を用いたナノロッドの作製
  • 李 宰盛
    SiOx薄膜への光照射によるSiナノ結晶の形成
  • 大下内 和樹
    InGaP/GaAs HBTの電圧ストレスによる劣化現象
  • 木村 仁志
    IR-LED用InTiO透明電極の研究
  • 茶木 健志郎
    MOCVD法を用いたInGaP/GaAs HBT作製におけるPH3とTBPによる膜質の比較研究
  • 成瀬 健
    Si基板上にMBE法で作製したSi/Ge/SiO2の酸化:ナノクリスタルメモリへの応用
  • 八田 祐希
  • 渡邊 明広
    走査型プローブ顕微鏡を用いたZnOナノロッドの評価

Last-modified: 2018-04-05 (木) 15:16:17 (351d)